Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Коллективное поведение вихрей и когерентное излучение электромагнитных волн в джозефсоновских структурах
Коллективное поведение вихрей и когерентное излучение электромагнитных волн в джозефсоновских структурах
99 000 UZS
Автор
Курин Владислав Викторович
Количество страниц
Год
2002
Исследования и разработка гибридных интегральных микросхем для малошумящих входных устройств и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона
Исследования и разработка гибридных интегральных микросхем для малошумящих входных устройств и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона
99 000 UZS
Автор
Миннебаев Вадим Минхатович
Количество страниц
Год
2002
Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР
Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР
99 000 UZS
Автор
Аболдуев Игорь Михайлович
Количество страниц
Год
2002
Рентгенодифракционное исследование приповерхностных слоев кремния и гетероструктур A III B V с градиентом деформации
Рентгенодифракционное исследование приповерхностных слоев кремния и гетероструктур A III B V с градиентом деформации
99 000 UZS
Автор
Барашев Матвей Нестерович
Количество страниц
Год
2002
Технология изготовления полиимидных коммуникационных структур для сборки высокоинтегрированных изделий микроэлектроники
Технология изготовления полиимидных коммуникационных структур для сборки высокоинтегрированных изделий микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Дарбинян Артур Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов
Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов
99 000 UZS
Автор
Оболенский Сергей Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs
Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs
99 000 UZS
Автор
Пак Хи Сок
Количество страниц
Год
2002
Брэгговская дифракция рентгеновского излучения на кристаллах, промодулированных поверхностными акустическими волнами
Брэгговская дифракция рентгеновского излучения на кристаллах, промодулированных поверхностными акустическими волнами
99 000 UZS
Автор
Иржак Дмитрий Вадимович
Количество страниц
Год
2002
Разработка и исследование технологии формирования активных диффузионных слоев элементов твердотельной электроники методом импульсной имплантации
Разработка и исследование технологии формирования активных диффузионных слоев элементов твердотельной электроники методом импульсной имплантации
99 000 UZS
Автор
Панченко Валерий Александрович
Количество страниц
Год
2002
Электронный транспорт и нелинейные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах и сверхрешетках
Электронный транспорт и нелинейные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах и сверхрешетках
99 000 UZS
Автор
Романова Юлия Юрьевна
Количество страниц
Год
2002
Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов быстродействующих многофункциональных интегральных схем
Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов быстродействующих многофункциональных интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Стахин Вениамин Георгиевич
Количество страниц
Год
2002
Разработка конструкции и технологии формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур
Разработка конструкции и технологии формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Мустафаев Арслан Гасанович
Количество страниц
Год
2002
Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля
Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля
99 000 UZS
Автор
Мардамшин Юрий Петрович
Количество страниц
Год
2002
Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5
Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5
99 000 UZS
Автор
Фетисова Валентина Михайловна
Количество страниц
Год
2002
Закономерности капиллярного формообразования нитевидных кристаллов кремния
Закономерности капиллярного формообразования нитевидных кристаллов кремния
99 000 UZS
Автор
Сушко Татьяна Ивановна
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3