Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Технология получения и физические свойства многокомпонентных твёрдых растворов на основе теллурида свинца
Технология получения и физические свойства многокомпонентных твёрдых растворов на основе теллурида свинца
99 000 UZS
Автор
Слынько, Евгений Илларионович
Количество страниц
Год
2000
Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
Жидкокристаллические композиты с индуцированной холестерической спиралью, стабилизированной сетчатым полимером
99 000 UZS
Автор
Самсонова, Ирина Викторовна
Количество страниц
Год
2000
Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 иполупроводниковых структур на их основе
Идентификация компонент спектров фотоотражения полупроводников группы А3В5 иполупроводниковых структур на их основе
99 000 UZS
Автор
Ганжа, Антон Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства кремния в условиях компенсации
Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства кремния в условиях компенсации
99 000 UZS
Автор
Саъдуллаев, Алавиддин Бобакулович
Количество страниц
Год
2000
Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
99 000 UZS
Автор
Смирнов, Валерий Михайлович
Количество страниц
Год
2000
Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
99 000 UZS
Автор
Спирин, Евгений Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Инфракрасные детекторы на основе HgMnTe: физические и технологические проблемы
Инфракрасные детекторы на основе HgMnTe: физические и технологические проблемы
99 000 UZS
Автор
Сун Вейгуо
Количество страниц
Год
2000
Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии
99 000 UZS
Автор
Демарина, Наталия Витальевна
Количество страниц
Год
2000
Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
99 000 UZS
Автор
Джумалиев, Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2000
Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
99 000 UZS
Автор
Диденко Сергей Иванович
Количество страниц
Год
2000
Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
99 000 UZS
Автор
Думеш, Борис Самуилович
Количество страниц
Год
2000
Магнитооптические эффекты в полумагнитных полупроводниках на основе теллурида ртути
Магнитооптические эффекты в полумагнитных полупроводниках на основе теллурида ртути
99 000 UZS
Автор
Федив, Владимир Иванович
Количество страниц
Год
2000
Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
99 000 UZS
Автор
Умрихин, Владимир Васильевич
Количество страниц
Год
2000
Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs
Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs
99 000 UZS
Автор
Ушаков, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
99 000 UZS
Автор
Филимонов, Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3