Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита

Умрихин, Владимир Васильевич. Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Курск, 2000.- 159 с.: ил. РГБ ОД, 61 01-1/140-9
Автор
Умрихин, Владимир Васильевич
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs
99 000 UZS
Автор
Ушаков, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Компьютерное моделирование эволюцииповерхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
99 000 UZS
Автор
Филимонов, Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
99 000 UZS
Автор
Фирсов, Дмитрий Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп
99 000 UZS
Автор
Чабан, Юрий Ярославович
Количество страниц
Год
2000
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
99 000 UZS
Автор
Чеканов, Валерий Александрович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3