Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
99 000 UZS
Автор
Фирсов, Дмитрий Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп
Физические свойства кристаллов селенида цинка, легированных элементами I и V групп
99 000 UZS
Автор
Чабан, Юрий Ярославович
Количество страниц
Год
2000
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
99 000 UZS
Автор
Чеканов, Валерий Александрович
Количество страниц
Год
2000
Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках
Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Сягло, Андрей Иванович
Количество страниц
Год
2000
Ионные процессы в радиационно загрязненных кристаллах галогенидов двувалентных металлов
Ионные процессы в радиационно загрязненных кристаллах галогенидов двувалентных металлов
99 000 UZS
Автор
Черный, Зиновий Павлович
Количество страниц
Год
2000
Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик
99 000 UZS
Автор
Черноуцан, Кирилл Алексеевич
Количество страниц
Год
2000
Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах
Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Эски, Тевфик
Количество страниц
Год
2000
Парамагнетизм дефектов решетки кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами Xe и Kr
Парамагнетизм дефектов решетки кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами Xe и Kr
99 000 UZS
Автор
Шумская, Елена Николаевна
Количество страниц
Год
2000
Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Якимова, Елена Владиленовна
Количество страниц
Год
2000
Особенности формирования импульса замедленной радиолюминесценции в органических диэлектриках
Особенности формирования импульса замедленной радиолюминесценции в органических диэлектриках
99 000 UZS
Автор
Ярычкин, Владимир Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний
Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний
99 000 UZS
Автор
Челядинский, Алексей Романович
Количество страниц
Год
2000
Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
99 000 UZS
Автор
Штанько, Виктор Федорович
Количество страниц
Год
2000
Люминисценция и преобразование энергии в минералах, керамиках, катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении
Люминисценция и преобразование энергии в минералах, керамиках, катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении
99 000 UZS
Автор
Яровой, Павел Николаевич
Количество страниц
Год
2000
Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
99 000 UZS
Автор
Гудовских Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
99 000 UZS
Автор
Давыдов Рашит Ренатович
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3