Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах

Эски, Тевфик. Влияние состояния поляризации света на оптические и фотогальванические эффекты в полупроводниках и в полупроводниковых структурах : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Андижан, 2000.- 18 с.: ил.
Автор
Эски, Тевфик
Год
2000

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Парамагнетизм дефектов решетки кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами Xe и Kr
99 000 UZS
Автор
Шумская, Елена Николаевна
Количество страниц
Год
2000
Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Якимова, Елена Владиленовна
Количество страниц
Год
2000
Особенности формирования импульса замедленной радиолюминесценции в органических диэлектриках
99 000 UZS
Автор
Ярычкин, Владимир Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний
99 000 UZS
Автор
Челядинский, Алексей Романович
Количество страниц
Год
2000
Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении
99 000 UZS
Автор
Штанько, Виктор Федорович
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3