Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
99 000 UZS
Автор
Закамов Вячеслав Робинович
Количество страниц
Год
2002
Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
99 000 UZS
Автор
Ильин Павел Александрович
Количество страниц
Год
2002
Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
99 000 UZS
Автор
Комаров Евгений Павлович
Количество страниц
Год
2002
Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах
99 000 UZS
Автор
Кузьмин Виталий Вячеславович
Количество страниц
Год
2002
Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
99 000 UZS
Автор
Кузьменко Роман Валентинович
Количество страниц
Год
2002
Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
99 000 UZS
Автор
Кожанова Юлия Владимировна
Количество страниц
Год
2004
Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности
99 000 UZS
Автор
Маслов Александр Юрьевич
Количество страниц
Год
2002
Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
99 000 UZS
Автор
Михрин Сергей Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек
Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек
99 000 UZS
Автор
Дмитриев Иван Александрович
Количество страниц
Год
2002
Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
99 000 UZS
Автор
Пирюшов Виталий Анатольевич
Количество страниц
Год
2002
Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
99 000 UZS
Автор
Писаревский Мстислав Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
99 000 UZS
Автор
Левичев Сергей Борисович
Количество страниц
Год
2004
Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках
Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Лавров Эдуард Владимирович
Количество страниц
Год
2004
Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
99 000 UZS
Автор
Светлова Наталья Юрьевна
Количество страниц
Год
2002
Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях
Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях
99 000 UZS
Автор
Соловьев Александр Александрович
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3