Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Разработка и исследование интегральных прецизионных стабилитронов с регулируемыми выходными характеристиками
Разработка и исследование интегральных прецизионных стабилитронов с регулируемыми выходными характеристиками
99 000 UZS
Автор
Кирюхин, Игорь Сергеевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов
99 000 UZS
Автор
Швец Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2003
Конструкторский синтез спецвычислителей на базе ПЛИС методом функциональной декомпозиции
Конструкторский синтез спецвычислителей на базе ПЛИС методом функциональной декомпозиции
99 000 UZS
Автор
Волков Андрей Валентинович
Количество страниц
Год
2005
Моделирование электрических параметров и определение времени жизни носителей и времени переключения силовых биполярных полупроводниковых структур
Моделирование электрических параметров и определение времени жизни носителей и времени переключения силовых биполярных полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Сахмуд Абделькарим Низар
Количество страниц
Год
2002
Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
99 000 UZS
Автор
Ивин, Владимир Владимирович
Количество страниц
Год
2000
Квазигидродинамическое моделирование высокополевого электронного дрейфа в полупроводниковых субмикронных структурах с периодическими неоднородностями
Квазигидродинамическое моделирование высокополевого электронного дрейфа в полупроводниковых субмикронных структурах с периодическими неоднородностями
99 000 UZS
Автор
Якупов Марат Назирович
Количество страниц
Год
2006
Физико-технологические основы формирования контактов к карбиду кремния методами импульсной термообработки
Физико-технологические основы формирования контактов к карбиду кремния методами импульсной термообработки
99 000 UZS
Автор
Агеев Олег Алексеевич
Количество страниц
Год
2005
Исследование и разработка полевого датчика Холла с повышенной магниточувствительностью
Исследование и разработка полевого датчика Холла с повышенной магниточувствительностью
99 000 UZS
Автор
Девликанова Светлана Сергеевна
Количество страниц
Год
2021
Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов
Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов
99 000 UZS
Автор
Неженцев Алексей Викторович
Количество страниц
Год
2021
Разработка методов контроля зонной структуры и оптических свойств двумерных полупроводниковых материалов
Разработка методов контроля зонной структуры и оптических свойств двумерных полупроводниковых материалов
99 000 UZS
Автор
Авдижиян Артур Юрьевич
Количество страниц
Год
2021
Разработка многоспектральных многоэлементных приёмников излучения с применением алмаза в качестве основы ультрафиолетовых спектральных каналов
Разработка многоспектральных многоэлементных приёмников излучения с применением алмаза в качестве основы ультрафиолетовых спектральных каналов
99 000 UZS
Автор
Шепелев Валерий Андреевич
Количество страниц
Год
2021
Исследование и разработка сверхвысокочастотного БиКМОП SiGe аналого-цифрового преобразователя с пониженной потребляемой мощностью
Исследование и разработка сверхвысокочастотного БиКМОП SiGe аналого-цифрового преобразователя с пониженной потребляемой мощностью
99 000 UZS
Автор
Алексеев Герман Владимирович
Количество страниц
Год
2021
Исследование и разработка КМОП цифровых трактов приема и обработки цифровых радиосигналов повышенной стойкости к воздействию одиночных ядерных частиц
Исследование и разработка КМОП цифровых трактов приема и обработки цифровых радиосигналов повышенной стойкости к воздействию одиночных ядерных частиц
99 000 UZS
Автор
Фатеев Иван Александрович
Количество страниц
Год
2021
Определение надёжности суб-100-нм КМОП ИС методом ускоренных испытаний тестовых структур, размещенных на полупроводниковой пластине
Определение надёжности суб-100-нм КМОП ИС методом ускоренных испытаний тестовых структур, размещенных на полупроводниковой пластине
99 000 UZS
Автор
Сивченко Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2021
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3