Введение
Глава 1 Введение
1.1 Основы сверхпроводниковой электроники 16
1.2 Краткий обзор развития технологии СИС переходов 25
1.3 Устройства сверхпроводниковой электроники 28
1.4 Постановка задачи 35
Глава 2 Технология изготовления СИС переходов на основе структуры Nb/Al-AlOx/Nb
2.1 Технологический маршрут и режимы изготовления СИС переходов 36
2.2 Основные этапы изготовления СИС переходов 2.2.1 Фотолитография 40
2.2.2 Напыление тонких пленок 48
2.2.3 Электролитическое анодирование 51
2.2.4 Реактивное ионное травление (RIE) 54
2.3 Оборудование для изготовления СИС переходов 55
2.4 Система измерения электрофизических параметров 63
Глава 3 Разработка технологии изготовления малошумящих СИС приемников для радиоастрономических исследований
3.1 Основные требования к параметрам смесительных СИС переходов 68
3.2 Оптимизация технологии изготовления СИС переходов для СВЧ применения 70
3.3 СИС структуры для волноводных смесителей мм диапазона длин волн 76
3.4 Разработка технологии изготовления СИС переходов на кварцевых подложках 82
3.5 Квазиоптический приемник на основе туннельного СИС перехода 86
3.6 Выводы по Главе 3 90
Глава 4 Интегральные сверхпроводниковые структуры
4.1 Интегральный сверхпроводниковый приемник (СИП) 91
4.2 Микросхема интегрального приемника 93
4.2.1 Технология изготовления микросхемы СИП 96
4.2.2 Особенности RIE процесса при формировании перехода методом «крест» 102
4.2.3 Оптимизация края пленок микрополосковой линии... 104
4.2.4 Экспериментальное исследование интегрального приемника 112
4.3 Приемник с балансным СИС смесителем 113
4.4 Примеры применения чипов интегрального приемника 116
4.5 Интегральный сверхпроводниковый спектрометр для проекта TELIS 118
4.5.1 Технология изготовления микросхем интегрального приемника для проекта TELIS 121
4.5.2 Оптимизация процессов изготовления СИС переходов субмикронных размеров 125
4.6 СИП на основе структуры Nb/Al-AlN/NbN 130
4.7 Технология изготовления микросхем интегрального приемника, объединяющая структуры с разными плотностями тока на одном чипе 134
4.8 Выводы по Главе 4 137
Глава 5 Детекторы рентгеновского излучения на основе туннельных переходов
5.1 Общие требования к разработке СТП-детекторов 140
5.2 Микросхемы для испытания СТП-детекторов 146
5.3 Методика изготовления СТП-детекторов 152
5.4 Экспериментальные характеристики СТП-детекторов 161
5.5 Выводы по Главе 5 174
Глава 6 Новые методы формирования СИС переходов
6.1 Концепция метода химико-механической полировки (СМР) 175
6.2 Формирование СИС переходов субмикронного размера методами СМР и электронно-лучевой литографии 177
6.3 Исследование способов формирования многоэлементных схем 183
6.4 Выводы по Главе 6 189
Заключение. Основные результаты диссертации 190
Публикации по теме диссертационной работы 192
Цитированная литература
