Введение
Глава 1 Инжекционные лазеры для применений в системе волоконно-оптической линии связи. 9
1.1. Особенности волоконно-оптических систем передачи информации 10
1.2. Материалы для лазерных излучателей, используемые для ВОЛС 15
Глава 2 Экспериментальное оборудование и методики. 22
2.1. Методы роста и экспериментальные методы измерения. 22
2.2. Постростовые операции. 26
2.3. Особенности лазерных структур с квантовыми точками в активной области . 43
2.4 Особенности азотсодержащих полупроводниковых материалов. 49
Глава 3. Пространственно-одномодовые лазерные диоды с In(Ga)As квантовыми точками и с InGaAsN квантовыми ямами в активной области. 54
3.1. Переход генерации с основного состояния на генерацию через возбужденное состояние 54
3.2. Пространственно-одномодовые лазеры с In(Ga)As КТ в активной области. 64
3.3. Прострапственно-одномодовое излучение лазеров с InGaAsN/GaAs квантовой ямой в активной области. 79
3.4.Пространственно-одномодовые лазеры с In(Ga)As квантовыми точками и InGaAsN квантовыми ямами на подложках GaAs: сравнительный анализ. 90
3.5. Пространственно-одномодовые лазеры с In(Ga)As квантовыми точками и InGaAsN квантовыми ямами на подложке GaAs: сравнительный анализ с InGaAsP/InP лазерами. 98
Глава 4. Оптимизация активной области, содержащая InGaAsN квантовую яму, излучающую на длине волны 1.3 мкм, для лазерного применения. 102
Глава 5. Управление длиной волны лазерной генерации в диапазоне 1.3-0.85 мкм с помощью высокотемпературного отжига структур с квантовыми точками. 114
Заключение. 121
Список цитируемой литературы. 125
