Введение
Глава 1. Приборы с акустическим переносом заряда . 9
1.1. Вводные замечания. Пьезоэлектрические свойства GaAs 9
1.2. Конструктивные особенности приборов с акустическим переносом заряда 12
1.3. Особенности акустического переноса заряда в GaAs 18
1.4. Выводы по гл.1 24
Глава 2. Анализ электромеханической задачи о распространения пав в кристаллах арсенида галлия 26
2.1. Вводные замечания 26
2.2. Постановка задачи и решение для волны релеевского типа 27
2.3. Влияние заряда на параметры акустоэлектрической волны, ослабление и усиление ПАВ30
2.4. Акустический перенос заряда, влияние встроенного поперечного поля... 35
2.5. Выводы по гл.2 38
Глава 3. Моделирование параметров гетероструктур на основе арсенида галлия для акустического переноса заряда . 40
3.1. Постановка задачи 40
3.2. Расчет зонной диаграммы гетероструктуры на основе Al-GaAs 41
3.3. Расчет и оптимизация параметров гетероструктуры 45
3.4. Моделирование инжекции носителей заряда в канал переноса 49
3.5. Влияние тока инжекции на амплитуду сигнала акустического переноса.. 53
3.6. Выводы по гл .3 58
Глава 4. Экспериментальное исследование опытного образца прибора с переносом заряда .60
4.1. Конструктивно-технологические особенности изготовления приборов с переносом заряда на гетероструктуре Al-GaAs 60
4.2. Методика проведения измерений 67
4.3. Результаты исследования опытного образца прибора с переносом заряда 73
4.4. Экспериментальное исследование влияния инжектированных зарядов на параметры акустоэлектрическои волны 74
4.5. Выводы по гл.4 78
Основные результаты и выводы 80
Список литературы 82
