Исследование двухчастотных полупроводниковых лазеров методом ближнепольной сканирующей оптической микроскопии

Левичев Вадим Вячеславович. Исследование двухчастотных полупроводниковых лазеров методом ближнепольной сканирующей оптической микроскопии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.05 / Левичев Вадим Вячеславович; [Место защиты: С.-Петерб. гос. ун-т информац. технологий, механики и оптики].- Санкт-Петербург, 2009.- 132 с.: ил. РГБ ОД, 61 09-1/637
Автор
Левичев Вадим Вячеславович
Год
2009
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава I. Методы изучения топографии и характеристик излучения полупроводниковых лазеров (литературный обзор) 11
1.1. Общие характеристики полупроводниковых лазеров на гетероструктурах 11
1.2. Исследование морфологии гетероструктур 14
1.3. Исследование характеристик излучения полупроводниковых лазеров 28
Глава II. Методы и объект исследования 36
2.1. Атомно-силовая микроскопия 36
2.2. Ближнепольная сканирующая оптическая микроскопия 49
2.3. Двухчастотный лазер 70
2.4. Метод жидкостного селективного химического травления 77
Глава III. Исследование полупроводникового лазера 82
3.1. Экспериментальная установка 82
3.2. Ближнепольные зонды 88
3.3. Изучение ближнепольного излучения полупроводникового лазера... 91
3.4. Геометрия излучающей области двухчастотного полупроводникового лазерного диода 95
Глава IV. Результаты исследования пространственной структуры излучения двухчастотного лазера 102
4.1. Сопоставление топографии излучающей поверхности полупроводникового лазера и его излучения в ближнем поле 102
4.2. Спектрально разрешенное исследование пространственной структуры излучения в ближнем поле 105
4.3. Модальная структура излучения лазерных диодов 111
Заключение 117
Литература 119

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Прокопович Дмитрий Валерьевич
Количество страниц
Год
2009
99 000 UZS
Автор
Молоденский Михаил Сергеевич
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3