Введение
1. Гетероструктуры с квантовой ямой на основе GaN 14
1.1. Полупроводниковые гетероструктуры 14
1.2. Кристалл с ОКЯ 15
1.3 Кристалл сМКЯ 16
1.4. Газо-фазная эпитаксия при низком давленій из металлорганических соединений. 18
1.5. Ширина запрещенной зоны в InGaN/GaN 19
1.6. Спектры голубых СД. 12
1.7. Вольт-амперные характеристики голубых СДс ОКЯ 22
1.8. Вольт-амперные характеристики голубых СДсМКЯ. 23
1.9. Волып-фарадные характеристики голубых СД 24
1.10. Туннельная излучателъная рекомбинация 25
1.11. Модель туннельного тока 26
1.12. Квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами 27
1.13. Пути улучшения электролюмииещентных характеристик СД на основе InGaN/GaN 28
1.14. Деградация нитрид галлиевых светодиодов 30
7.75. Электрофизические характеристики голубых СД InGaN/GaN-светодиодов при высокой плотности тока 31
1.16. Параметры глубоких уровней (ГУ) в кристаллах AlGaNAnGaN/GaN 32
1.17. Гетероструктуры с туннельно-связанными квантовыми ямами 33
2. Электрические характеристики голубых светодиодов 35
2.1. Образцы для исследований 35
2.2. Вольт-амперные характеристики и CV-характеристики голубых СД 40
2.3. Механизмы токопереноса в СД. 45
2.4. Исследование прыжковой проводимости 46
2.5. Расчёт энергии активации 52
2.6. Определение концентрации доноров - Nd 55
2.7. Исследования ВАХпри обратных напряжениях смещения 56
3. Люминесцентные характеристики голубых светодиодов 59
3.1. Электролюминесцентные характеристики СД 59
3.2. Низкотемпературные спектральные исследования 65
3.3. Заполнение энергетических уровней в трехуровневой модели 71
3.4. Коэффициент полезного действия (КПД) СД 74
4. Исследование рекомбинационных центров в голубых СД 83
4.1. Термостимулированная ёмкость (ТСЕ) 83
4.2. Нестагщонарная спектроскопия глубоких уровней - НСГУ (DLTS) 87
4.3. Концентрация глубоких уровней в структуре InGaN/GaN и вероятность туннелирования носителей заряда 90
4.4. F^комбинационная спектроскопия глубоких уровней. Туннельная рекомбинация 91
4.5. Дифференциальные показатели наклона ВАХ - Д 94
5 Влияние у-облучения на электро-физические параметры голубых СД 98
5.7. Изменение ВАХ голубых СД после облучения 98
5.2. Трансформация концентрационного профиля ліелкой примеси в СД и анализ CV-характеристик голубых СД после облучения у-излучением 100
5.3. Влияние у-облучения на ГУ в структурах AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами 104
5.4. Анализ изменения формы спектра электролюминесценции облученного и необлученного СД 105
5.5. Зависимость яркости и КПД голубых СД в зависимости от дозы облучния 106
Заключение 110
