Введение
1. Физические процессы в фотоприёмниках на основе диодов шоттки и приборов с зарядовой связью 10
1.1, Конструктивные и функциональные особенности фотоприёмников 16
1.1.1. Сравнение различных типов полупроводниковых фотодетекторов 22
1.1.2. Фотоприёмники широкого спектрального диапазона 23
1.1.3. Фотоэмиссионные детекторы на основе барьеров Шоттки 24
1.1.4. Процессы токопереноса 33
1.1.5. Приборы с зарядовой связью как элемент считывания и переноса информации в фотоприемниках 36
1.1.6. Конструктивные особенности и способы физической реализации приборов с зарядовой связью 45
1.2. Задачи исследования 59
2. Исследование диодов шоттки с различными типами металлических электродов и различным типом полупроводниковой подложки 60
2.1. Методика исследования характеристик диодов Шоттки 60
2.2. Диоды Шоттки 62
2.3. Основные выводы 78
3. Исследование спектральных характеристик фотоприёмников с барьером шоттки на основе пары кремний р-типа - золото 79
3.1. Исследование зависимости спектральных характеристик фотодиодов с барьером Шоттки от толщины пленки золота 79
3.2. Выбор толщины золота в базовой структуре диода Шоттки 82
3.3. Некоторые особенности технологии инфракрасных приборов с зарядовой связью с барьерами Шоттки 89
3.4. Основные выводы 96
4. Процессы переноса заряда в спектрозональных фоточувствительных двухканальных объемных приборах с зарядовой связью 97
4.1. Физическая модель. Анализ процессов фоторелаксации в двухканальной объемной структуре на основе приборов с зарядовой связью 99
4.2. Конструкция и электрические характеристики ОПЗС 108
4.3. Основные выводы 120
Заключение 121
