Введение
ГЛАВА 1. Полупроводниковые измерители свч мощности 8
1.1. Высокочастотный эффект Холла 9
12. Преобразователи уровня СВЧ мощности на основе высокочастотного эффекта Холла . 15
1:3. Эффект магнетосопротивления на сверхвысоких частотах. 21
1 4. Применение магниторезистивного эффекта для измерения; СВЧ мощности 26
1.5. Радиоэлектрический эффект 29
1.6. Материалы для преобразователей СВЧ мощности 37
ГЛАВА 2 Технологии выращивания гетероструктур карбид кремния на кремнии . 41
2.1. Рост монокристаллов из паровой фазы 41
2.2. Сублимационная эпитаксия 47
2.3. Жидкофазная эпитаксия 50
2.4. Газофазная эпитаксия 52
2.5. Эндотаксия 59
2.6. Легирование SiC примесями 62
2.7. Выращивание гетероструктур SiC/Si. 66
ГЛАВА 3 Экспериментальные образцы преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур SiC/Si . 75
3.1. Влияние электрофизических параметров материала 75
3.2 Влияние геометрических размеров преобразователя 77
3.2. Влияние контакта металл - полупроводник в области сверхвысоких частот 80
3.3. Влияние сопутствующих эффектов 85
3.4. Технология получения преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур карбид кремния на кремнии 86
3.5. Экспериментальные образцы 90
ГЛАВА 4. Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах SiC/Si 92
4.1. Методика исследования радиоэлектрического эффекта 92
4.2. Исследование радиоэдс в гетероструктурах карбид кремния на кремнии 95
4.3. Исследование термоэдс 98
Заключение 100
Список основных работ автора диссертации 101
Список использованных источников и литературы
