Введение
Глава 1 Обзор литературы 13
1.1 Общие представления о взаимодействии ускоренных ионов с веществом 13
1.2 Процессы вторичного дефектообразования в кремнии 15
1.3 Влияние условий облучения на накопление дефектов в кремнии 18
1.3.1 Облучение кремния легкими ионами 18
1.3.2 Облучение кремния тяжелыми ионами 22
1.3.3 Облучение кремния ионами низких энергий 24
1.4 Молекулярный эффект в кремнии 25
1.4.1 Молекулярный эффект в кремнии при облучении тяжелыми ионами 26
1.4.2 Молекулярный эффект в кремнии при облучении легкими ионами 29
1.5 Основы экспериментальных методов анализа уровня повреждения
кристаллической решетки 32
1.5.1 Метод спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния. 32
1.5.2 Метод анизотропии неупругого обратного рассеяния электронов 35
1.6 Основные выводы 39
Глава 2 Особенности накопления разрушений при облучении кремния легкими ионами низких энергий 40
2.1 Методика и условия эксперимента 40
2.2 Экспериментальные результаты и их обсуждение 41
2.3 Модель роста поверхностных аморфных слоев при облучении Si низкоэнергетическими легкими ионами 43
2.3.1 Кинетика роста поверхностных аморфных слоев 43
2.3.2 Природа возникновения пороговой дозы и модель с учетом насыщаемых стоков 45
2.4 Особенности образования дефектов в GaAs, бомбардируемом медленными ионами 50
2.5 Основные результаты и выводы 52
Глава 3 Молекулярный зффеїсг в Si на легких ионах: эксперимент и модель 53
3.1 Методика эксперимента 53
3.1.1 Установка для ионной имплантации и резерфордовской спектроскопии , 54
3.1.2 Калибровка масштаба по глубине 58
3.1.3 Измерения методом анизотропии неупругого обратного рассеяния электронов 60
3.2 Экспериментальные результаты 61
3.3 Модель молекулярного эффекта в Si на легких ионах 63
3.4 Основные результаты и выводы 71
Глава 4 Дефектообразование в Si под воздействием низкотемпературного облучения быстрыми тяжелыми ионами 72
4.1 Методика и условия эксперимента 72
4.2 Экспериментальные результаты 73
4.3 Параметры среднего индивидуального каскада атомных смещений ... 77
4.4 Модель накопления разрушения и механизм молекулярного эффекта 80
4.5 Особенности накопления дефектов в приповерхностной области 83
4.6 Основные результаты и выводы 86
Заключение 88
Литература
