Введение
Глава 1. Дефекты и основные механизмы дефектообразования в структурах S і - S Ю2 13
1.1. Строение термически полученного окисного слоя на поверхности кремния 13
1.2. Основные дефекты в слоях двуокиси кремния на кремнии . 15
1.3. Дефектообразование в структурах Si-SiC>2 18
Глава 2. Методика эксперимента 21
2.1. Используемые образцы 21
2.2. Экспериментальные методы исследования 23
2.2.1. Особенности системы электролит-диэлектрик-полупроводник (ЭДГТ) 23
2.2.2. Измерение ВЧ вольтфарадных характеристик (ВФХ) системы -электролит 26
2.2.3. Метод полевых циклов 28
2.2.4. Метод послойного стравливания 30
2.2.5. Метод кинетик тока 34
2.2.6. Метод электролюминесценции 39
Выводы к главе 2 41
Глава 3. Зарядовая стабилизация в структурах, полученных с помощью ионной имплантации 42
3.1. Процессы дефектообразования при ионной имплантации 42
3.2. Зарядовое состояние структур Si-Si02, подвергнутых имплантации ионами аргона 45
3.2.1. Изменение зарядового состояния структур Si-SiC>2 первого типа в результате ИИ 45
3.2.2. Пространственное распределение зарядов, образующихся в результате ИИ в структурах первого типа 48
3.2.3. Влияние БТО на зарядовое состояние структур первого типа, подвергнутых ИИ 49
3.2.4. Изменение зарядового состояния структур Si-Si02 второго типа в результате ИИ и БТО 55
3.2.5. Итоги изучения изменений зарядового состояния структур Si-Si02 в результате ИИ аргона 58
3.3. Влияние менее энергетичных воздействий на электронные процессы в ионно-имплактированных аргоном структурах Si-Si02 59
3.3.1. Влияние БУФ-облучения на зарядовое состояние ионно-имплантированных аргоном структур Si-Si02 59
3.3.2. Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных Аг структур Si-SiCb 62
3.3.3. Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированньтх Аг структур второго типа 68
3.4. Зарядовое состояние структуры Si-Si02, ионно-
имплантированных кремнием 72
3.5. Зарядовое состояние структур S1-S1O2, полученных по технологии SIMOX 79
3.6. Электролюминесценция структур Si-Si02, полученных с
помощью ионной имплантации 86
3.6.1. Электролюминесценция структур Si-Si02, имплантированных ионами аргона 88
3.6.2. Электролюминесценция структур Si-Si02, имплантированных ионами кремния 94
3.6.3. Электролюминесценция STMOX-структур Si-SiC^ 95
Выводы к главе 3 100
Глава 4. Эффекты зарядовой компенсации в структурах Si-Si02 после низкоэнергетичных внешних воздействий 102
4.1. Зарядовая компенсация в структурах Si-Si02 в экстремальных электрических полях 102
4.2. Зарядовое состояние структур Si-Si02 после ВУФ-облучения 112
4.3. Зарядовая компенсация в структурах, полученных термическим окислением кремния с изовалентно замещенным германием (Si:Ge-Si02) 121
4.4. Зарядовая компенсация в структурах Si-Si02, с толщиной окисного слоя менее 45 нм 128
4.5. Особенности ЭЛ структур Si-Si02 в условиях реализации эффекта зарядовой компенсации 146
Выводы к главе 4 149
Глава 5. Механизмы зарядовой стабилизации и природа образующихся ЭАЦ 151
5.1. Предварительные замечания о механизмах зарядовой стабилизации 151
5.2. Формирование зарядового состояния структур Si-Si02 в результате ИИ Аг 153
5.3. Формирование зарядового состояния структур Si-Si02 в результате ИИ Si 162
5.4. Формирование зарядового состояния SIMOX-структур 166
5.5. Зарядовая компенсация в структурах Si-Si02 после воздействия экстремально сильных электрических полей 168
5.6. Эффекты зарядовой компенсации при ВУФ-облучении структур Si- Si 02 171
5.7. Эффекты зарядовой компенсации в структурах на основе термически окисленного кремния с изовалентно-замещенным германием (Si:Ge-SiOj) 172
5.8. Эффекты зарядовой компенсации в структурах Si-SiC>2 с толщиной окисного слоя менее 45 нм 174
Выводы к главе 5 177
Основные выводы 179
Список литературы
