Введение
ГЛАВА I. Современное состояние получения и исследований широкозонных твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x .
1.1. Кристаллическая структура и свойства карбида кремния и нитрида алюминия .9
1.2. Критерии образования твердых растворов .12
1.3 Термодинамический анализ критериев образования твердых растворов в системе SiC-AlN 18
1.4 Полупроводниковые твердые растворы (SiC)1-x(AlN)x и структуры на их основе 22
ГЛАВА II. Получение твердых растворов (SIC)1-x(ALN)x методом магнетронного распыления .
2.1 Важнейшие параметры магнетронных сиситем распыления .30
2.2. Расчет границы зоны термализации 37
2.3.Оценка положения анода в плазме МРС 47
2.4. Экспериментальная установка и технология получения пленок твердых растворов (SiC)1-х(AlN)х .52
2.4.1 Методика подготовки подложек 57
2.4.2. Зависимость скорости распыления поликристаллических мишеней SiC-AlN от мощности возбуждения разряда .61
2 4.3. Влияние температуры подложки на скорость роста пленок (SiC)1-х(AlN)х .63
ГЛАВА III. Исследование структуры, состава и морфологии пленок (SiC)1-x(AlN)x.
3.1.Исследование структуры пленок (SiC)1-x(AlN)x методом рентгеновской дифракции 66
3.2. Исследование структуры пленок (SiC)1-x(AlN)x методом дифракции быстрых электронов на отражение .78
3.3. Исследование морфологии поверхности пленок 86
3.4. Изучение однородности пленок (SiC)1-x(AlN)x 90
ГЛАВА IV. Оптические и электрические свойства пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x.
4.1.Основные оптические характеристики полупроводниковых пленок 94
4.2. Исследование оптических свойств пленок (SiC)1-x(AlN)x .97
4.3. Катодолюминесценция пленок (SiC)1-x(AlN)x .101
4.4.Электропроводность пленок (SiC)1-x(AlN)x 107
Заключение... 116
Литература 119
