Введение
Глава 1. Электрофизические свойства теллура 13
1.1. Кристаллическая структура теллура 13
1.2. Зонная структура и электрофизические свойства теллура 16
1.3. Свойства расплава теллура 24
1.4. Кристаллизация теллура 26
1.5. Очистка теллура 31
1.6. Влияние уровня гравитации на процесс затвердевания 37
Выводы 44
Глава 2. Технология, методы выращивания кристаллов при разных уровнях гравитации 46
2.1. Эксперименты по перекристаллизации теллура в условиях микрогравитации 46
2.1.1. Особенности технологии перекристаллизации теллура 46
2.1.2. Исследование кристаллической структуры образцов после перекристаллизации в условиях микрогравитации. Структурные исследования 54
2.2. Эксперименты по направленной кристаллизации в условиях повышенной гравитации 58
Выводы 62
Глава 3. Исследование электрических свойств. Экспериментальные методы и экспериментальные результаты 64
3.1. Методика измерений 64
3.2.1. Результаты измерений электрических характеристик образцов, выращенных в условиях микрогравитации 67
3.2.2. Влияние травления на электрофизические свойства образцов теллура, полученных переплавкой в космосе 72
3.3.1. Исследование электрических свойств образцов, переплавленных при повышенной гравитации 77
Выводы 80
Глава 4. Формирование дефектов в теллуре при различных уровнях гравитации 82
Выводы 98
Глава 5. Затвердевание стеклообразного сплава Te80Si2o 100
5.1. Стеклообразование и.кристаллизация 100
5.2. Стеклообразный сплав Te8oSi2o 103
5.3. Подготовка образцов 105
5.4. Свойства образцов 107
5.4.1. Физико - механические свойства 107
5.4.2. Электрические свойства 110
5.4.2.1. Определение ширины запрещённой зоны измерением фотопроводимости ПО
5.4.2.2. Температурная зависимость электросопротивления Te8oSi2o. П2
5.4.3. Обсуждение результатов 116
5.5. Исследование газовых пор в слитках Te80Si2o 117
Выводы 123
Заключение 124
Литература 131
