Введение
Глава 1 Основные способы генерации лазерного излучения в области длин волн 3 мкм 13
1.1 Лазеры на кристаллах, активированных ионами хрома Сг , железа Fe +, гольмия Но 13
1.2 Параметрическая генерация света в диапазоне 3 мкм 23
1.3 Лазеры на кристаллах, активированных ионами эрбия Ег 25
Глава 2 Математические модели процессов многочастотной генерации EnYLF и EnYAG лазеров с диодной накачкой 35
2.1 Компьютерная модель многочастотной генерации EnYLF и EnYAG лазеров 35
2.2 Аналитическая модель многочастотной генерации лазеров на кристаллах EnYLF и EnYAG с селективной накачкой на энергетический уровень 1ц/2 45
2.3 Управление спектральными параметрами генерации лазеров на эрбиевых кристаллах 69
2.4 Эффективность трехмикронной генерации EnYLF и EnYAG лазеров при селективной накачке на энергетические уровни 41ц/2 и 41п/2 87
Глава 3 Результаты экспериментального исследования многочастотной генерации малогабаритных EnYLF и EnYAG лазеров 105
3.1 Лабораторный стенд для исследования параметров генерации эрбиевых лазеров 105
3.2 Спектральные и энергетические параметры генерации EnYLF и EnYAG лазеров в режиме одиночных импульсов 107
3.3 Спектральные и энергетические параметры генерации EnYLF лазера в импульсно-периодическом режиме 111
Глава 4 Особенности генерации лазера на кристалле EnYLF в режиме модуляции добротности 115
4.1 Модель процесса генерации EnYLF лазера с селективной накачкой в режиме модуляции добротности резонатора 115
4.2 Экспериментальное исследование генерации EnYLF лазера в режиме пассивной модуляции добротности затвором на кристалле Fe2+:ZnSe 129
Заключение 134
Список литературы
