Введение
ГЛАВА 1. Микротруктурирование поверхностности системы диосид кремния – кремний (обзор литературы) 12
1.1. Методы нано- и микротруктурирования поверхности системы SiO2/Si 12
1.1.1. Литографические методы микро- и наноструктурирования поверхности. 13
1.1.2. Электрохимический метод микроструктурирования системы SiO2/Si 15
1.1.3. Микроструктурирование системы SiO2/Si при воздействии мощного ионного пучка 17
1.1.4. Лазерный метод микроструктурирования поверхности кремния и системы SiO2/Si. 19
1.2. Формирования периодических структур на поверхности системы SiO2/Si при воздействии ультракоротких лазерных импульсов 22
1.3. Электрофизические свойства наноструктурированного кремния 28
1.4. Изменение электрофизических свойств системы SiO2/Si при лазерном облучении 32
1.5. Применение лазерного излучения для контроля и диагностики скрытых
дефектов в изделях микроэлектроники 34
Выводы к главе 1 37
ГЛАВА 2. Методы исследований, использованные в работе 39
2.1. Объекты исследований 39
2.2. Схема и принцип работы лазерной установки для микроструктурирования экспериментальных образцов 40
2.3. Выбор источников излучения 42
2.4. Методы исследования экспериментальных образцов 44
2.4.1 Метод сканирующей зондовой микроскопии 44
2.4.2. Метод измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) 49
2.4.3. Метод измерения вольт-фарадных характеристик (ВФХ) 50
2.4.4. Метод бесконтактного измерения температуры нагрева образцов 57
Выводы к главе 2 60
ГЛАВА 3. Микроструктурирование системы sio2/si импульсным иттербиевым волоконным лазером 61
3.1. Математическая модель механических напряжений, инициированных лазерным импульсом.. 61
3.2. Выбор режимов микроструктурирования системы SiO2/Si при точечном облучении 66
3.3. Локальная пластическая деформация кремния в системе SiO2/Si при точечном облучении 70
3.4. Электрофизические характеристики системы SiO2/Si при возникновении локальной пластической деформации 76
3.5. Вольт-амперные характеристики системы SiO2/Si при возникновении локальной пластической деформации 81
3.6. Выбор режимов микроструктурирования системы SiO2/Si при сканировании лазерного пучка 84
3.7. Механизм микроплавления кремния в системе SiO2/Si при сканировании лучом волоконного лазера 86
Выводы к главе 3 95
ГЛАВА 4. Микро- и наноструктурирование системы sio2/si эксимерным лазером 97
4.1. Микроструктурирование системы SiO2/Si пучком ArF лазера 97
4.2. Вольт-амперные и воль-фарадные характеристики системы SiO2/Si, облученной ArF-лазером 104
Выводы к главе 4 107
ГЛАВА 5. Исследование влияния лазерного микроструктурирования на электрофизические параметры моп структур и элементы моп ис 108
5.1. Влияние лазерного микроструктурирования на электрофизические параметры МОП-структур 108
5.1.1. Технология изготовления тестовых МОП-конденсаторов 108
5.1.2. Исследование высокочастотных вольт-фарадных характеристик тестовых МОП конденсаторов при точечном облучении 110
5.1.3. Исследование высокочастотных вольт-фарадных характеристик тестовых МОП конденсаторов после сканирования пучком ИИВЛ 113
5.1.4. Влияние эффекта дальнодействия на ВФХ МОП-структур при точечном облучении 115
5.2. Влияние воздействия лазерного облучения на параметры элементов тестовой КМОП микросхемы типа К590КН6 117
5.2.1. Технологический процесс 590 серии 117
5.2.2. Особенности конструкции КМОП-пары транзистора 119
5.2.3. Влияние лазерного облучения на характеристики тестовых КМОП транзисторов, встроенных в кристаллы КМОП ИС 590 серии 121
Выводы к главе 5 129
Общие выводы 130
Заключение 133
Список литературы
