Введение
Глава 1. Анализ конструкций и технологий AMP преобразователей магнитного поля
1.1 Современный уровень и тенденции развития AMP преобразователей магнитного поля
1.2 Принципы функционирования AMP преобразователей 13
1.3 Зависимости параметров AMP преобразователей магнитного поля от технологии изготовления
1.4 Применение AMP преобразователей в современной технике 34
Выводы и постановка задачи 38
Глава 2. Технология изготовления магниторезистивных структур 40
2.1 Исследование зависимостей свойств пленок пермаллоя от параметров процессов их нанесения
2.2 Исследование зависимостей характеристик пленок пермаллоя от материала и параметров подложки
2.3 Исследование влияния модификации структуры пленок пермаллоя на их магнитные и электрофизические характеристики Выводы 67
Глава 3. Исследование и разработка конструкций анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля 74
3.1 Исследование и разработка конструкции одноосного AMP преобразователя, с не самосовмещённым магниторезистивным слоем
3.2 Исследование и разработка конструкции одноосного AMP преобразователя, с самосовмещённым магниторезистивным слоем
3.3 Исследование и разработка конструкции углового AMP преобразователя 3.4 Исследование и разработка конструкции подмагничивающего слоя для AMP преобразователей
Выводы 86
Глава 4. Применение разработанных преобразователей магнитного поля в датчиках различного функционального назначения
4.1 Датчики тока 88
4.2 Датчики скорости 90
4.3 Датчики углового положения 95
4.4 Датчики угла поворота 97
Выводы 103
Выводы по работе 104
Список литературы 105
Список работ автора 110
