Влияние конструктивно-технологических факторов на сборку 3 D БИС с использованием технологии перевернутого кристалла (flip-chip)

Стоянов Андрей Анатольевич. Влияние конструктивно-технологических факторов на сборку 3 D БИС с использованием технологии перевернутого кристалла (flip-chip): диссертация ... кандидата Технических наук: 05.27.01 / Стоянов Андрей Анатольевич;[Место защиты: ФГБОУ ВО Воронежский государственный технический университет], 2017.- 125 с.
Автор
Стоянов Андрей Анатольевич
Год
2017
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Монтаж кристаллов и проволочных выводов в 3D-изделиях микроэлектроники 10
1.1. Стековые 3D БИС с разваркой выводов 10
1.2. Покрытия контактных площадок кристаллов и корпусов для сборочных операций
1.2.1. Алюминиевая металлизация на кристаллах 14
1.2.2. Медная металлизация на кристаллах 15
1.2.3. Покрытия корпусов золотом 16
1.3. Монтаж кристаллов в 3D-изделиях 19
1.3.1. Сборка с использованием технологии «flip-chip» 20
1.3.2. Соединение кристалла с корпусом с использованием непроводящего адгезива и анизотропного проводящего клея 24
1.3.3. Соединение кристаллов клеящими лентами 27
1.4. Способы монтажа проволочных соединений в полупроводниковых изделиях 30
1.4.1. Термозвуковая микросварка 31
1.4.2. Ультразвуковая микросварка 32
1.4.3. Сварка давлением с косвенным импульсным нагревом (СКИН)
1.5. Контроль качества монтажа кристаллов и внутренних выводов 34
1.6. Методы, приборы и оборудование, используемое для проведения экспериментов 38
Выводы и постановка задач для исследований и разработок 39
ГЛАВА 2. Использование технологии перевернутого кристалла «flip-chip» при сборке 3D бис 42
2.1. Формирование столбиковых выводов/шариков припоя на контактные площадки кристаллов/подложек 42
2.2. Расчет прочности соединения золотого столбикового вывода с контактной площадкой подложки 46
2.3. Способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов (новый метод сборки по технологии «flip-chip») 51
2.4. Заполнение зазора между кристаллом и подложкой после сборки по технологии «flip-chip» 56
2.5. Новый способ сборки трехмерных интегральных схем 3D БИС 58
Выводы 66
ГЛАВА 3. Оптимизация режимов узс алюминиевой проволоки с медной металлизацией кристаллов и золотым покрытием корпусов 3D-изделий микроэлектроники 68
3.1. Исследование медной металлизации контактных площадок кремниевых кристаллов 69
3.1.1. Поверхностное и удельное сопротивление медной металлизации 70
3.1.2. Исследование микроструктуры и химического состава медной металлизации 74
3.1.3. Исследование микротвердости медной металлизации на кристалле с использованием пирамиды Кнупа
3.2. УЗС алюминиевой проволоки к Cu-Ni металлизации с никелевым покрытием на кристалле 79
3.3. Плазменная обработка позолоченных корпусов перед сборочными операциями 81
3.3.1. Анализ поверхности позолоченных корпусов до и после плазменной обработки 83
3.3.2. Влияние плазменной обработки на прочность соединений Al – Au 85
Выводы 86
ГЛАВА 4. Практическое применение результатов исследований в производстве 3D-изделий микроэлектроники 88
4.1. Уменьшение остаточных термомеханических напряжений на границе подложка-металлическое покрытие 88
4.2. Термозвуковой способ приварки вывода в полупроводниковом приборе 95
4.3. Устройство охлаждения/нагрева ИС с использованием эффекта Пельтье 99
Выводы 108
Заключение 109
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Землянский Александр Иванович
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Котельников Игорь Витальевич
Количество страниц
Год
2017
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3