Введение
1.Обзор литературы 11
1.1. Солнечные элементы с гетеропереходом на основе неорганических полупроводников 11
1.2. Солнечные элементы с гетеропереходом на основе органических полупроводников 19
1.3.Солнечньїе элементы p-i-n-структуры на основе неорганических полупроводников 31
1.5. Основные свойства металлфталоцианинов 47
1.5.1.Структура и оптические свойства металлфталоцианинов 50
1.5.2.Полупроводниковые свойства металлфталоцианинов 53
1.5.3.Легирование металлфталоцианинов 55
2. Методика эксперимента 57
2.1.Электронная спектроскопия 57
2.2.Выбор компонентов для получения р-і-п- гетероструктурыр-СиРсД-CuPc/n-GaAs 57
2.3.Методика планирования эксперимента. 63
2.4 Экспериментальная установка 65
2.5.Изготовление p-i-n-гетероструктуры р-СиРсЛ-CuPc/n-GaAs 67
3. Результаты и обработка данных эксперимента 71
3.1.Энергетическая зонная диаграмма p-i-n-гетероструктуры 71
3.2.Методика обработки результатов эксперимента 73
3.3. Спектральные характеристики p-i-n-гетероструктуры 81
3.4.Вольт-амперные характеристики p-i-n-гетероструктуры 85
3.5.Люкс-амперные характеристики p-i-n-гетероструктуры 90
3.6. Изучение деградации p-i-n-гетероструктуры 91
4. Анализ экспериментальных данных по исследованию фотоэлектрических процессов В Y-\-N-WIKYOCTYyKT№Kp-CuPc/i-CuPc/n-GaAs 95
4 4.1.Расчет тока, протекающего через барьер в р-і-п-гетероструктуре 95
4.2. Математическая модель природы фотоэффекта в р-і-п-гетероструктуре 98
4.3.Гибридная модель двойной инжекции в р-і-п-гетероструктуре 101
Заключение 107
