ГЛАВА I. СЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ДИСЛОКА ЦИОННУЮ СТРУКТУРУ МОНОКРИСТАЛЛОВ 13
1.1. Уменьшение плотности одиночных дислокаций в результате высокотемпературного отжига в "объеме" образца . 13
1.1.1. Аннигиляция дислокаций . . 13
1.1.2. Действие сил линейного натяжения .... 14
1.1.3. Реакции между дислокациями 15
1.1.4. Экспериментальные результаты, свидетельствующие об уменьшении плотности одиночных дислокаций при высокотемпературном отжиге 16
1.1.4.1. Металлические кристаллы 19
1.1.4.2. Ионные кристаллы 26
1.2. Поведение дислокационных границ при высоко температурном отжиге кристаллов 35
1.2.1. Полигонизация в кристаллах 35
1.2.2. Экспериментальное наблюдение процесса полигонизации 36
1.2.3. Поля напряжений и энергия простых на клонных границ с малым углом раз ориентации.44
1.2.3.1. Граница бесконечных размеров 44
1.2.3.2. Границаконечных размеров 46
1.2.3.3. Взаимодействие одиночных дислокаций с дислокационными стенками 49
1.2.4. Россыпь неустойчивых дислокационных границ 53
1.3. Поведение дислокационной подсистемы кристаллов в области пред плавильных температур . . . , 59
1.4. Изменение дислокационной структуры в приповерхностных слоях монокристаллов при изотермическом отжиге бб
ГЛАВА 2. АНАІИЗ ХАРАКТЕРНЫХ ВРЕМЕН РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ АНСАМБЛЯХ ДИСЛОКАЦИЙ И ПОСТРОЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ, ОПИСЫВАЮЩИХ ИЗМЕНЕНИЕ СО ВРЕМЕНЕМ ОСНОВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ . . 76
2.1. Постановка задачи 78
2.2. Аннигиляция дислокаций с противоположно направленными векторами Бюргерса 81
2.3. Захват одиночной дислокации свободным концом незавершенной границы . 84
2.4. Россыпь незавершенных границ на одиночные дислокации 90
2.5. Пристыковка-присоединение незавершенной границы к целой 91
2.6. Отстыковка - образование незавершенных границ 92
2.7. Сравнение характерных времен релаксационных процессов 96
2.8. Кинетические уравнения, описывающие изменение со временем основных элементов дислокационной структуры 97
Выводы 102
ГЛАВА 3. ЭВОЛЮЦИЯ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ДЕФОРМИРОВАННЫХ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ В РЕЖИМЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА . . ЮЗ
3.1. Постановка задачи . . ...... 103
3.2. Экспериментальные результаты 109
3.3. Оценки вкладов различных релаксационных процессов в эволюцию дислокационной структуры
3.4. Определение коэффициента самодиффузии
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ЭВОЛЮЦИИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРИ ПТАШГАШБНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ 123
4.1. Методика предплавильного отжига щелочногалоидных монокристаллов 124
4.1.1. Условия, лежащие в основе разработки
схемы установки для предплавильного отжига монокристаллов 124
4.1.2. Конструкция установки для предплавильного отжига кристаллов 125
4.1.3. Выбор режимов работы и терморегулирования установки для предплавильного отжига 130
4.2. Поведение дислокационной структуры щелочно-галоидных кристаллов при пред плавильной температуре . 134
4.2.1. Объекты и методика исследования 135
4.2.2. Результаты и обсуждение 139
4.3. Анализ кинетики превращения конца незавершенной границы в россыпь хаотических
дислокаций 144
Выводы 150
ГЛАВА 5. НЕКОТОРЫЕ ЭФФЕКТЫ, НАБЛЮДАЕМЫЕ В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЩЕЛОЧНОГАЯОИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, ПРОШЕДШИХ ЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ОТЖИГ .... 151
5.1. Возрастание предела текучести в приповерхностном слое монокристаллов /^р в результате отжига 151
5.2. Формирование упрочненного приповерхностного слоя в монокристаллах LlF в процессе отжига и природа центров закрепления дислокаций . . . 157
5.3. Эволюция дислокационной структуры в приповерхностных слоях монокристаллов |<[ в процессе высокотемпературного отжига ...... 168
Выводы 178
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 179
ПРИМЕЧАНИЯ 181
ЛИТЕРАТУРА 182
