Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями

Аксенов Максим Сергеевич. Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями: диссертация ... кандидата Физико-математических наук: 01.04.10 / Аксенов Максим Сергеевич;[Место защиты: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук], 2019.- 156 с.
Автор
Аксенов Максим Сергеевич
Год
2019

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs
99 000 UZS
Автор
Крюков Руслан Николаевич
Количество страниц
Год
2019
Исследование спиновых взаимодействий в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As методами горячей фотолюминесценции и неупругого рассеяния света с переворотом спина
99 000 UZS
Автор
Димитриев Григорий Семенович
Количество страниц
Год
2019
Моделирование процессов термического выглаживания и разупорядочения поверхности полупроводников
99 000 UZS
Автор
Казанцев Дмитрий Михайлович
Количество страниц
Год
2019
Структурные и оптические свойства пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников на основе S, Se и Te
99 000 UZS
Автор
Нежданов Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2019
Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда
99 000 UZS
Автор
Цацульников Андрей Федорович
Количество страниц
Год
2019
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3