Введение
Глава 1. Обзор литературы 16
1.1 Метод оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) 16
1.2 Применение ОДМР для исследования рекомбинационных процессов 18
1.3 Полупроводниковые наноструктуры с квантовыми ямами (CdMn)Te/(CdMg)Te 23
1.4 Кристаллы оксида цинка с примесью ионов переходных элементов 28
Глава 2. Методика эксперимента 31
2.1 Технология изготовления образцов 31
2.2 Экспериментальная техника оптической регистрации магнитного резонанса Q-диапазона 36
2.3 Экспериментальная техника для оптической регистрации магнитного резонанса W-диапазона 42
Глава 3. Исследование одиночных квантовых ям (CdMn)Te/(CdMg)Te, содержащих двумерный дырочный газ, методом ОДМР 47
Глава 4. Исследование наноструктур (CdMn)Te/(CdMg)Te с несколькими квантовыми ямами различной ширины 62
4.1 ОДМР в структуре с тремя квантовыми ямами (CdMn)Te различной ширины 62
4.2 Анализ формы сигналов ОДМР обменно-связанных комплексов «Mn-дырка» 71
Глава 5. Исследование спин-зависимых процессов в кристаллах ZnO методом ОДМР 74
5.1 ОДМР в кристаллах ZnO с примесью железа 74
5.2 ОДМР по послесвечению кристаллов и нанокристаллов ZnO 85
Заключение 94
Список публикаций автора по теме диссертации 96
Список литературы 99
