Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума
ЕРМАЧИХИН АЛЕКСАНДР ВАЛЕРЬЕВИЧ. Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.10 / ЕРМАЧИХИН АЛЕКСАНДР ВАЛЕРЬЕВИЧ;[Место защиты: Рязанский государственный радиотехнический университет].- Рязань, 2014.- 191 с.
