Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия

Пономарев, Иван Викторович. Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Пономарев Иван Викторович; [Место защиты: Нац. исслед. Том. гос. ун-т].- Томск, 2011.- 130 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/286
Автор
Пономарев, Иван Викторович
Год
2011

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла
99 000 UZS
Автор
Девятов, Эдуард Валентинович
Количество страниц
Год
2013
Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода
99 000 UZS
Автор
Гуляев, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2013
Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
99 000 UZS
Автор
Сачков, Виктор Анатольевич
Количество страниц
Год
2011
Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
99 000 UZS
Автор
Рыбин, Николай Борисович
Количество страниц
Год
2011
Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
99 000 UZS
Автор
Рыбальченко, Андрей Юрьевич
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3