Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода

Гуляев, Дмитрий Владимирович. Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гуляев Дмитрий Владимирович; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН].- Новосибирск, 2013.- 168 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-1/705
Автор
Гуляев, Дмитрий Владимирович
Год
2013
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Обзор литературных данных 15
1.1. Влияние электрического поля поверхност ной акустической волны на транспортные и рекомбинационные свойства GaAs и низко размерных систем на его основе 15
1.2. Энергетическая структура и рекомбинационные свойства сверхрешеток GaAs/AlAs второго рода, выращенных на (100) ориентированной поверхности GaAs 35
1.3. Энергетическая структура и рельеф гете рограниц сверхрешеток GaAs/AlAs второго
рода, выращенных на (311)А ориентированной поверхности GaAs 49
ГЛАВА 2. Методические вопросы исследования 56
2.1. Исследуемые образцы. Методики их изготовления и контроля 56
2.2. Методика регистрации стационарной фото люминесценции 64
2.3. Регистрация кинетики и спектров неста ционарной фотолюминесценции 69
2.4. Методика приложения электрического поля к исследуемому образцу с помощью поверх ностной акустической волны 72
ГЛАВА 3. Влияние электрического поля на фотолюминес ценцию (100)-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs второго рода 78
3.1. Влияние электрического поля на стацио нарную фотолюминесценцию экситонов в (100)-ориентированных сверхрешетках GaAs/AlAs второго рода 78
3.2. Влияние электрического поля на кинетику фотолюминесценции Xz экситонов в (100) ориентированных сверхрешетках GaAs/AlAs второго рода 94
3.3. Влияние электрического поля на кинетику фотолюминесценции Хху экситонов в (100) ориентированных GaAs/AlAs сверхрешетках
второго рода 107
3.4. Механизм возрастания интенсивности фото люминесценции свободных экситонов в электрическом поле 110
3.5. Механизм ускорения кинетики фотолюминес ценции экситонов в электрическом поле 113
ГЛАВА 4. Влияние электрического поля на стационарную фотолюминесценцию и кинетику фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AlAs второго рода, выращенных на (311)А-ориентированной поверхности GaAs 123
4.1. Спектры стационарной фотолюминесценции
сверхрешеток GaAs/AlAs второго рода, выращенных на (311)А-ориентированной по- 124
верхности GaAs
4.2. Влияние электрического поля на стационарную фотолюминесценцию (311) А ориентированных структур 126
4.3. Влияние электрического поля на кинетику фотолюминесценции (311)А-ориентированных структур. Параметры рельефа гетерограниц
(311) А-ориентированных структур 138
Заключение 144
Список литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Сачков, Виктор Анатольевич
Количество страниц
Год
2011
99 000 UZS
Автор
Форш, Екатерина Александровна
Количество страниц
Год
2013
99 000 UZS
Автор
Читанов, Денис Николаевич
Количество страниц
Год
2013
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3