Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости

Мурашова Алена Владимировна. Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 2002.- 145 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-1/734-8
Автор
Мурашова Алена Владимировна
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
99 000 UZS
Автор
Максимов Кирилл Сергеевич
Количество страниц
Год
2002
Влияние ионного обмена на фазовые равновесия в стеклах
99 000 UZS
Автор
Лобода, Вера Владимировна
Количество страниц
Год
2000
Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкм
99 000 UZS
Автор
Лившиц Даниил Александрович
Количество страниц
Год
2000
Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
99 000 UZS
Автор
Мансуров, Владимир Геннадьевич
Количество страниц
Год
2000
Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния
99 000 UZS
Автор
Мануковский, Эдуард Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3