Введение
Глава 1 Сканирующая зондовая микроскопия - как метод исследования свойств приборных наноструктур 13
1.1 Виды сканирующей зондовой микроскопии 13
1.2 Исследование топографии поверхности
1.3 Особенности СЗМ зондов 17
1.4 Исследование механических свойств 20
1.5 Измерение тока 22
1.6. Электросиловые методы ССМ 24
1.7 Кельвин-зонд микроскопия (КЗМ) 27
1.8 Градиентная Кельвин-зонд микроскопия (ГКЗМ) 30
Глава 2 Исследование поведения зарядов в нанотонких диэлектрических слоях методами Кельвин зонд микроскопии 36
2.1 Введение 36
2.2 Объект и метод исследования 40
2.3 Сопоставительный анализ распространения зарядов в слоях Si02 и Si3N4 42
2.4 Поведение зарядов в нанотонких слоях LaSc03 , 56
2.5 Выводы 61
Глава 3 Исследование распределения поверхностного потенциала на сколах приборных гетероструктур на основе соединений А3В5 63
3.1 Введение 63
3.2 Исследование морфологии зеркал лазерных гетероструктур на основе GaAs/AlGaAs 67
3.3 ГКЗМ исследования поверхности сколов п+ - п" - р+ GaAs структур 73
3.4 КЗМ исследование фото диодной ІгіАзЛпАзо.ввЗЬо.іг/ІпАзБЬР структуры 87
3.5 ГКЗМ исследование светодиодной гетероструктуры II типа InAsSbP/InAs с двухцветной люминесценцией 93
3.6 Выводы 99
Глава 4 СЗМ исследование электрофизических свойств GaAs нанопроводов .101
4.1 Введение 101
4.2 Описание образцов 104
4.3 ГКЗМ исследование GaAs НИ с металлическими контактами 106
4.4 Особенности измерения ВАХ НП с помощью СЗМ зонда 112
4.5 СЗМ иследование проводимости GaAs НП 119
4.6 Фотопроводимость GaAs НП 131
4.7 Выводы 140
Заключение 142
Список литературы
