Исследование реактивного ионного травления как метода создания элементов оптоэлектронных устройств

Дулькин, Александр Евгеньевич. Исследование реактивного ионного травления как метода создания элементов оптоэлектронных устройств : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.- Санкт-Петербург, 1993.- 18 с.: ил. РГБ ОД, 9 93-3/551-3
Автор
Дулькин, Александр Евгеньевич
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Динамические и спектральные свойства полупроводниковых интегрально-оптических лазерных излучателей
99 000 UZS
Автор
Аврутин, Евгений Александрович
Количество страниц
Год
Связанные состояния дырок и электронно-дырочных комплексов в алмазоподобных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Родина, Анна Валерьевна
Количество страниц
Год
Люминесцентные, электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP
99 000 UZS
Автор
Страхов, Валерий Александрович
Количество страниц
Год
Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур
99 000 UZS
Автор
Сумарока, Александр Михайлович
Количество страниц
Год
Фазовые переходы в окислах и сульфидах переходных металлов и их техническое использование
99 000 UZS
Автор
Теруков, Евгений Иванович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3