Люминесцентные, электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP

Страхов, Валерий Александрович. Люминесцентные, электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Российская Академия наук. Ин-т радиотехники и электроники.- Москва, 1993.- 16 с.: ил. РГБ ОД, 9 93-1/2463-2
Автор
Страхов, Валерий Александрович
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур
99 000 UZS
Автор
Сумарока, Александр Михайлович
Количество страниц
Год
Фазовые переходы в окислах и сульфидах переходных металлов и их техническое использование
99 000 UZS
Автор
Теруков, Евгений Иванович
Количество страниц
Год
Влияние точечных дефектов и концентрационных неоднородностей на свойства монокристаллических пленок магнитных гранатов
99 000 UZS
Автор
Ткалич, Александр Константинович
Количество страниц
Год
Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов
99 000 UZS
Автор
Сагдуллаев, Хусан Усманович
Количество страниц
Год
Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии
99 000 UZS
Автор
Эмексузян, Вячеслав Мелконович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3