Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии

Эмексузян, Вячеслав Мелконович. Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников.- Новосибирск, 1993.- 18 с.: ил. РГБ ОД, 9 93-2/575-6
Автор
Эмексузян, Вячеслав Мелконович
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка
99 000 UZS
Автор
Гапоненко Сергей Васильевич
Количество страниц
Год
Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
99 000 UZS
Автор
Гасымов Шафаг Гусейн оглы
Количество страниц
Год
Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии
99 000 UZS
Автор
Гинтилас, Шарунас Здиславович
Количество страниц
Год
Особенности структуры и колебательные спектры силленитов
99 000 UZS
Автор
Зарецкий Юрий Григорьевич
Количество страниц
Год
Особенности поведения узкозонных полупроводников во внешних полях
99 000 UZS
Автор
Зайко Юрий Николаевич
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3