Введение
Глава 1. Состояния в запрещенной зоне кристалла, локализованные в области неоднородности внешнего поля .. 14
1.1. Вывод уравнений двухзонной модели 15
1.2. Туннельные состояния 18
1.3. Состояния таммовского типа 22
1.4. Влияние на спектр кристалла примеси, обладающейїдаїольньш моментом 26
1.5. Обсуждение результатов 30
Глава 2. Влияние взаимодействия с заряженной дримесво на туннелирование 37
2.1. Пороговое поведение одноэлектронного туннельного тока 37
2.2. Учет взаимодействия туннелирующего электрона с заряженной примесью 39
2.3. Вычисление элементов S - матрицы 47
2.4. Квазиклассическое приближение в случае потенциала с аксиальной симметрией 54
2.5. Обсуждение результатов 61
Глава 3. Эффект од на основе резонансного туннелированйя 68
3.1. Введение 68
3.2. Резонансная ОДЦ в модели Фридкина-Ваннье. Одномерный случай 70
3.3. Результаты численного расчета ВАХ в трех мерном случае 73
3.4. Обсуждение результатов 76
Глава 4. Туннелирование в полупроводниках в магнитном поле 82
4.1. Полупроводник со сложной структурой валентной зоны в магнитном и электрическом полях 82
4.2. Обсуждение результатов 87
Заключение 90
Литература 92
