Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия

Гим Гван Дё, 0. Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия : Дис. ... канд. физико-математические науки : 01.04.10.-
Автор
Гим Гван Дё, 0
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков
99 000 UZS
Автор
Красильщиков Борис Романович
Количество страниц
Год
Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
99 000 UZS
Автор
Гусейнов Ниязи Музафарович
Количество страниц
Год
Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред
99 000 UZS
Автор
Левин Евгений Иосифович
Количество страниц
Год
Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Логинова Инга Дмитриевна
Количество страниц
Год
Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
99 000 UZS
Автор
Ионов Александр Николаевич
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3