Введение
Глава I. Обзор методов учёта глубоких центров в по лупроводниках 10
1.1. Основные методы расчёта энергетического положения глубоких центров и волновых функций примесного электрона . ..... 10
1.2. Метод потенциала нулевого радиуса .... 18
Глава 2. Волновые функции глубоких примесных центров в р-представлении 22
2.1. Структура валентной звы..в, обобщенной модели Латтинжера ..,.-. 22
2.2. Метод построения волновых функций глубоких примесных центров ...... 28
2.3. Волновые функции глубоких центров симметрии г8 . 33
2.4. Волновые функции глубоких центров симметрии Гг, ..... 37
2.5. Волновые функции f-c-центров в р-представлении 40
Глава 3. Оптические переходы в полупроводниках с глубокими уровнями 45
3.1. Метод расчёта сечения фотоионизации ... 45
3.2. Определение матрицы ф , „ , характеризующей состав состояния на центре 47
3.3. Расчёт матричных элементов дипольних переходов между свободными зонными состояниями в модели Латтинжера 48
3.4. Расчёт сечения фотоионизации для переходов Ь -центр - валентная зона 57
3.5. Расчёт сечения фотоионизации для переходов h -центр - зона проводимости 62
3.6. Учёт зарядового состояния центра после фотоионизации 66
3.7. Сечение фотоионизации с-с-центров . . 73
Глава 4. Анализ полученных теоретических зависимостей сечения фотоионизации глубоких центров. Сравнение с экспериментальными данными .... 76
4.1. Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких примесных п-центров для переходов центр - валентная зона 76
4.2. Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких примесных h-центров для переходов центр - зона проводимости .... 85
4.3. Расчёт абсолютных значений сечений фотоионизации глубоких h -центров 88
4.4. Установление типа симметрии глубокого центра и уточнение его оптической энергии ионизации по характеру спектральной зависимости коэффициента,поглощения или фотопроводимости 93
4.5. Анализ глубоких центров. 99
Заключение 103
Литература
