Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения

Ищук Валерия Петровна. Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения : ил РГБ ОД 61:85-1/329
Автор
Ищук Валерия Петровна
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
99 000 UZS
Автор
Гаргури, Хамши
Количество страниц
Год
Поглощение акустических волн в диэлектрических кристаллах с примесями
99 000 UZS
Автор
Красильников Михаил Владимирович
Количество страниц
Год
Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
99 000 UZS
Автор
Гим Гван Дё, 0
Количество страниц
Год
Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков
99 000 UZS
Автор
Красильщиков Борис Романович
Количество страниц
Год
Влияние поляризации фононов на перенос фононов в полупроводниках и диэлектриках
99 000 UZS
Автор
Гусейнов Ниязи Музафарович
Количество страниц
Год
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3