Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик

Гаргури, Хамши. Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик : Дис. ... канд. физико-математических наук : 01.04.10.-
Автор
Гаргури, Хамши
Год
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава I. Выбор гамильтонианов сильной связи 11
1. Локальная плотность состояний 12
2. Гамильтонианы сильной связи для кристаллических полупроводников 18
3. Гамильтонианы сильной связи для кристаллических диэлектриков 29
4. Новый гамильтониан сильной связи 46
Глава 2. Метод кластера с решеткой Бете 63
1. Электронные состояния в Si. и Ga/ts 64
2. Электронные состояния в SL02 И S 80
3. Примеси и дефекты в твердых телах 91
Глава 3. Структуры полупроводник-диэлектрик 105
I. Идеальная граница раздела 106
2. Граница раздела с дефектами 117
3. Пространственное распределение дислокаций 125
Заключение 137
Литература 139

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Красильников Михаил Владимирович
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Гим Гван Дё, 0
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Гусейнов Ниязи Музафарович
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Левин Евгений Иосифович
Количество страниц
Год
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3