Введение
ГЛАВА I. Насыщение поглощения в полупроводниках (обзор литературы)
I. Теория насыщения поглощения света в полупровод никах Ю
2. Экспериментальные исследования эффекта просветления на частоте возбуждающего излучения 21
3. Экспериментальные исследования деформации спектра поглощения при интенсивном возбуждении 31
4. Устройства нелинейной оптики на основе просвет ляющихся сред 36
Краткие выводы и постановка задачи 42
ГЛАВА II. Экспериментальное исследование просветления на частоте возбуждающего излучения 43
5. Экспериментальная установка и методика измерений 43
б. Эффект просветления в селениде цинка 49
7. Фотолюминесценция селенида цинка при высоких уровнях возбуждения 59
8. Температурная зависимость просветления в селениде . цинка 64
9. Насыщение поглощения в селено-кадмиевых стеклах 68
Краткие выводы 74
ГЛАВА III. Расчет зависимости поглощения от интенсивности излучения в полупроводтаках с учетом рекомбинации через ловушки 76
10. Полупроводник с ловушками одного типа 76
II. Полупроводник с ловушками двух типов 82
12. Температурная зависимость просветления в при -месном полупроводнике 90
ІЗ. Сопоставление теоретических и экспериментальных результатов 97
Краткие выводы 107
ГЛАВА ІV. Исследование нелинейного поглощения с использо -вашем двух световых потоков - возбувдающего и зондирующего 109
14. Деформация спектра поглощения селенида цинка под действием лазерного излучения 109
15. Корреляция спектров возбуждения полосы просвет -ления и самоактивированной фотолюминесценции в селениде цинка 115
16. Влияние лазерного излучения на спектр поглощения селено-кацмиевых стекол 127
17. Управление несколькими световыми потоками различных частот 132
Краткие выводы . 136
Основнье результаты и выводы 137
Литература 140
