Введение
Глава 1 Современное состояние исследований дефектов упаковки 12
1.1 Основные параметры, физические свойства, получение и применение кремния 12
1.2 Плоскостные дефекты в монокристаллах с решёткой алмаза 28
1.3 Прямые методы обнаружения и исследования дефектов структуры (селективного травления, декорирования, электронной просвечивающей микроскопии, ИК-микроскопии, рентгеновской топографии) 37
1.4 Динамическая теория рассеяния рентгеновских лучей - основа рентгенотопографических методов 49
1.5 Контраст интенсивности от плоскостных дефектов 67
1.6 Рентгенотопографические изображения дефектов упаковки. Проблемы теории дифракционного контраста 69
1.7 Выводы и постановка задач диссертационного исследования 92
Глава 2 Аппаратура и методики эксперимента 95
2.1 Аппаратура и камеры для рентгенотопографического анализа дефектов в Si 95
2.2 Розеточная методика исследования дефектов структуры в Si 101
2.3 Приготовление и контроль качества поверхности образцов 106
2.4 Определение природы ДУ в случае сферической волны 107
2.5 Определение природы ДУ в случае плоской волны 115
2.6 Выводы 117
Глава 3 Теоретические модели дефектов упаковки в монокристаллах с. решёткой алмаза 119
3.1 Теоретические модели простых ростовых дефектов упаковки в монокристаллах Si 119
3.2 Теоретические модели сложных ростовых дефектов упаковки в монокристаллах Si 123
3.3 Модель тетраэдрического ДУ типа внедрения 133
3.3 Выводы 136
Глава 4 Компьютерное моделирование бормановского контрастаинтенсивности от частичных и вершинных дислокаций вмонокристаллах кремния 137
4.1 Расчет контраста интенсивности от дефектов кристалла с медленноизменяющимися полями деформации 137
4.2 Расчет контраста интенсивности от частичной 30-градуснойдислокации Шокли 141
4.3 Расчет контраста интенсивности от частичных краевых дислокаций Шокли и Франка146
4.4 Расчет контраста интенсивности от вершинных дислокаций в барьерах ЛомераКоттрелла иХирта 154
4.5 Выводы 162
Глава 5 Исследование рентгенотопографического контраста от дефектов упаковки в монокристаллах Si в случае эффекта Бормана 165
5.1 Бормановский контраст интенсивности от плоскости ДУ 165
5.2 Экспериментальный бормановский контраст интенсивности от частичных 30-градусных дислокаций Шокли 175
5.3 Экспериментальный контраст интенсивности от частичных краевыхдислокаций 176
5.4 Экспериментальное исследование сложных ростовых ДУ вмонокристаллах кремния180
5.5 Исследование дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом Ланга 183
5.6 Исследование дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом двухкристальной топографии 187
5.7 Выводы 189
Заключение 191
Список использованной литературы 198
