Введение
Глава 1. Ионно-пучковые методы самоформирования волнообразных наноструктур на поверхности полупроводников 11
1.1. Суб-100-нанометровая литография и самоформирование наноструктур на поверхности полупроводников 11
1.2. Ионно-пучковые методы самоформирования наноструктур 26
1.3. Волнообразный микрорельеф на поверхности арсенида галлия 32
1.4. Волнообразный микрорельеф на поверхности кремния 35
1.5. Волнообразный микрорельеф в системах 02+-Si и N2+-Si 37
1.6. Модельные представления о природе волнообразного микрорельефа, инициируемого ионной бомбардировкой,
и задачи исследования 43
Глава 2. Волнообразный рельеф на поверхности кремния, инициируемый ионами 02+ и N2+ 56
2.1. Регистрация стадий образования и дозовые зависимости морфологии и длины волны волнообразного микрорельефа 56
2.2. Энергетические, угловые и температурные зависимости глубины образования микрорельефа, взаимосвязь глубины образования и длины волны микрорельефа 67
2.3. Угловые, энергетические, дозовые и температурные зависимости морфологии, глубины формирования
и длины волны нанорельефа в системе N2+ - Si 77
2.4. Геометрия и внутреннее строение волнообразной наноструктуры в системе N2+ - Si 95
2.5. Угловые и энергетические зависимости коэффициента распыления кремния ионами N2+ 116
2.6. Факторы, влияющие на динамику процесса образования волнообразной наноструктуры в системе N2+- Si 123
Глава 3. Волнообразная наноструктура в кремнии-на-изоляторе, в аморфном кремнии и перенос волнообразного нанорельефа на поверхность различных материалов 143
3.1. Формирование кристаллических кремниевых нанопроволок в структуре кремний-на-изоляторе 144
3.2. Волнообразная наноструктура на микроучастке поверхности кремния 149
3.3. Морфология волнообразной наноструктуры и динамика ее образования в слоях аморфного кремния различного типа 152
3.4. Энергетические и угловые зависимости морфологии, длины волны и глубины формирования волнообразной наноструктуры в аморфном кремнии 157
3.5. Перенос волнообразного нанорельефа из слоя аморфного кремния на поверхность различных материалов 162
Глава 4. Модификация геометрии волнообразной наноструктуры 168
4.1. Жидкостное травление волнообразной наноструктуры 168
4.2. Плазмохимическое травление волнообразной наноструктуры 171
4.3. Двухстадийный процессе плазмохимического и жидкостного
4> травления волнообразной наноструктуры 176
Глава 5. Когерентность волнообразных наноструктур 179
5.1. Природная когерентность волнообразного нанорельефа в системе N2+-GaAs 180
5.2. Когерентность волнообразной наноструктуры, индуцированная последовательной бомбардировкой поверхности кремния ионами 02+ и N2+ 184
5.3. Когерентность волнообразной наноструктуры в системе N2+-Si, индуцированная направленной обработкой поверхности кремния 186
5.4. Когерентность волнообразной наноструктуры в системе N2+-Si, индуцированная движущимся ленточным ионным пучком 193
Глава 6. Природа волнообразной наноструктуры 205
6.1. Двухстадийность процесса образования волнообразной наноструктуры 205
6.2. Оценка роли диффузии, вязкости и упругих напряжений
в образовании волнообразной наноструктуры 208
6.3. Модель образования волнообразной наноструктуры 219
Глава 7. Потенциальные применения волнообразной наноструктуры 223
7.1. Анализ потенциальных применений волнообразной наноструктуры 224
7.2. Поляризатор оптического диапазона на основе решетки металлических нанопроволок 229
7.3. МОП-транзистор с периодически легированным каналом 233
7.3.1. Устройство МОП-транзистора с периодически легированным каналом 233
7.3.2. Формирование наномаски 236
7.3.3. Особенности формирования сверхтонких слоев кремния, легированных мышьяком 238
7.3.4. Последовательность технологических операций 244
7.3.5. Электрические характеристики транзистора 246
Выводы 255
Благодарности 258
Приложения 259
Определение зависимости угла ионной бомбардировки от угла наклона плоскости образца в РЭОС PHI 660 259
ИОС и ЭОС регистрация стадий образования волнообразного микрорельефа 261
Закономерности изменения оже-эмиссии электронов при формировании волнообразного микрорельефа 263
Список литературы 272
