Введение
1 Литературный обзор 16
1.1 Электронный парамагнитный резонанс в двумерной электронной системе 16
1.2 Фактор Ланде в GaAs гетероструктурах 25
1.3 Спиновая релаксация системы двумерных электронов в квантово-холловском ферромагнетике . 35
1.4 Фактор Ланде в AlAs/AlGaAs квантовых ямах 41
2 Экспериментальная методика и образцы 44
2.1 Образцы 45
2.2 Экспериментальная методика 48
3 Изучение g-фактора электрона в GaAs/AlGaAs-квантовых ямах 57
3.1 Структура тензора g-фактора электрона 58
3.2 Псевдотензор линейных по магнитному полю поправок к g-фактору 64
3.3 Тензор g-фактора в GaAs/AlGaAs квантовых ямах различной ширины 67
3.4 Выводы 72
4 Спиновая релаксация в гетероструктурах GaAs/AlGaAs вблизи нечет ных факторов заполнения
4.1 Зависимость спиновой релаксации от величины и ориентации магнитного поля, фактора заполнения. 74
4.2 Температурные зависимости времени спиновой релаксации 80
4.3 Выводы 83
5 g-фактор электрона в AlAs-квантовой яме 85
5.1 Измерение g-фактора в AlAs-квантовой яме посредством ЭПР 85
5.2 Выводы 90
Заключение 92
Литература
