Введение
Глава 1. Устойчивость разностных схем с искусственной дисперсией для уравнения типа конвективной диффузии 14
1.1 Постановка разностной задачи для уравнения конвективной диффузии с малым параметром при старшей производной . 14
1.2 Построение разностных схем для уравнения конвективной диффузии 15
1.3 Исследование устойчивости разностных схем с искусственной дисперсией 18
1.4 Выводы 23
Глава 2. Об одной задаче для системы параболических уравнений со специальными граничными условиями 24
2.1 Математическое моделирование процесса выращивания твердых растворов полупроводников из жидкой фазы 24
2.2 Решение модельной дифференциальной задачи 26
2.3 Исследование устойчивости разностной задачи 43
2.4 Результаты численных расчетов 61
2.5 Выводы 62
Глава 3. Асимптотическая устойчивость разностной схемы для одной краевой задачи 68
3.1 Понятие асимптотической устойчивости 68
3.2 Вычисление точного решения разностной схемы 70
3.3 Исследование асимптотической устойчивости и точности разностной схемы 81
3.4 Описание численных расчетов 86
3.5 Выводы 89
Глава 4. Численное моделирование эпитаксиального выращивания тройных полупроводниковых соединений 90
4.1 Физико-химические основы процесса 90
4.2 Математическое моделирование процесса выращивания твердых растворов CdyHgi-уТе из жидкой фазы 90
4.3 Моделирование эпитаксиальпого выращивания твердых растворов AlyGai-yAs из жидкой фазы 108
4.4 Выводы 113
Заключение 119
