Введение
Глава 1. Современное состояние исследований и методов роста полупроводниковых нанокластеров 11
1.1. Развитие исследований роста полупроводниковых наноструктур 11
1.2. Роль нанокластеров в полупроводниковой технологии 17
1.3. Современная технология получения нанокластеров 24
1.4. Современные методы исследования нанокластеров 37
1.4.1. Экспериментальные методы исследования 38
1.4.2. Теоретические методы исследования 51
1.5. Цели работы 56
Глава 2. Исследование эпитаксиального роста нанокластеров S1C на SI 57
2.1. Физическая модель зарождения и роста плоских нанокластеров 57
2.2. Моделирование эволюции системы нанокластеров в ходе осаждения углерода 64
2.3. Определение температурной зависимости плотности нанокластеров 68
2.4. Определение критерия перехода от двумерного к трехмерному росту и механизма трехмерного роста нанокластеров 71
2.5. Резюме 77
Глава 3. Исследование эпитаксиального роста нанокластеров GE на SI и INAS на GAAS 81
3.1. Физическая модель зарождения и роста пирамидальных нанокластеров 81
3.2. Моделирование влияния условий роста на структурные параметры нанокластеров 86
3.3. Определение критического размера пирамидальных нанокластеров 89
3.4. Резюме 94
Заключение 96
Список литературы 100
