Введение
ГЛАВА 1. Рост и оптоэлектронные свойства гетероструктур с SiGe/Si(001) самоформирующимися островками (Литературный обзор)
ГЛАВА 2. Фотолюминесценция одно и многослойных SiGe/Si(001) структур с самоформирующимися островками
2.1. Методика эксперимента. 36
2.2. Методы подготовки подложек и характеризации структур
2.3. Зависимость спектров ФЛ однослойных GeSi структур с самоформирующимися островками от температуры роста
2.4. Рост и ФЛ многослойных структур с Ge(Si)/Si(001) самоформирующимися островками
2.5. ФЛ структур с Ge(Si)/Si(001) самоформирующимися островками при комнатной температуре
ГЛАВА 3. Сравнительный анализ ФЛ островков и дефектов кристаллической решетки
3.1. Фотолюминесценция GeSi/Si(001) структур с дефектами кристаллической решетки
3.2. Зависимость сигнала ФЛ Ge(Si) островков и дислокаций от мощности оптической накачки и температуры измерения
ГЛАВА 4. Рост и фотолюминесценция Ge(Si) островков, сформированных на напряжённом GexSii-x слое
4.1 Методика эксперимента 102
4.2 Особенности роста Ge(Si) самоформирующихся островков на напряжённом Sii-xGexcnoe
4.3 ФЛ структур с Ge(Si) самоформирующимися островками, выращенными на напряжённом Sii-xGex слое 127
Заключение 141
Список цитированной литературы
