Введение
Глава 1. Обзор литературы 14
Глава 2. Теоретическая модель 25
2.1 Модель расчта пространственного распределения неравновесных носителей в многослойных структурах 25
2.2 Расчт распределения электромагнитного поля в волноводе и пороговых характеристик лазера 29
ГЛАВА 3. Распределения потерь энергии в полупроводниковых материалах 34
3.1 Распределение потерь энергии электронами накачки в полупроводниковых материалах 34
ГЛАВА 4. Исследование зависимости интенсивности катодолюминесценции от параметров структур и энергии электронов накачки 41
4.1 Описание методики эксперимента 41
4.2 Моделирование катодолюминесценции, сравнение результатов расчтов с экспериментом 43
ГЛАВА 5. Расчёт пространственного распределения концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводниковых наногетероструктурах при накачке электронным пучком 51
5.1 Описание исследуемых полупроводниковых структур 51
5.2 Характеристики полупроводниковых ZnSe- содержащих структур 53
5.3 Результаты расчтов пространственного распределения концентрации неравновесных носителей заряда в ZnSe- содержащих структурах 57
ГЛАВА 6. Зависимость излучательных характеристик многослойных структур разных типов от энергии электронов накачки и качества границ слоёв 60
6.1 Эффективность сбора носителей в активной области 61
6.2 Зависимость пороговой плотности тока и пороговой мощности накачки для лазеров на основе ZnSe- содержащих структур различных типов от энергии электронного пучка 68
6.3 Сравнение результатов расчтов и эксперимента 78
ГЛАВА 7. Зависимость излучательных характеристик структур различных типов от их параметров 86
7.1 Зависимость излучательных характеристик структур от положения квантовой ямы в пределах волновода 86
7.2 Зависимость излучательных характеристик структур от размеров волновода 90
7.3 Зависимость излучательных характеристик структур от ширины внешнего ограничивающего волновод слоя 96
7.4 Зависимость излучательных характеристик структур от ширины внутреннего ограничивающего волновод слоя 99
7.5 Расчты характеристик полупроводниковых структур с множественными квантовыми ямами 101
ГЛАВА 8. Расчёты характеристик полупроводниковых структур для уф- и ик-диапазонов 114
8.1 Расчты характеристик полупроводниковых структур для УФ-диапазона 114
8.2 Расчты характеристик полупроводниковых структур для ИК-диапазона 125
Заключение 129
Список литературы 1
