Введение
Глава 1. Обзор литературы 8
1.1. Длинноволновые лазерные гетероструктуры на квантовых точках 8
1.2. Характеристики усиления и пороговая плотность тока лазеров на квантовых точках 12
1.3. Температурные и мощностные характеристики лазеров на квантовых точках 19
1.4. Особенности Оже-рекомбинации в низкоразмерпых гетеро структурах 23
1.5. Свойства полупроводников лазеров с InGaAsN квантовой ямой в качестве активной области 24
Глава 2. Температурные характеристики длинноволновых лазеров на квантовых точках 29
2.1. Методика подготовки образцов и особенности проведения экспериментов 29
2.2. Температурные характеристики лазеров па квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм 32
Глава 3. Характеристики InGaAsN/GaAs лазеров
3.1. Особенности выращивания и подготовки экспериментальных образцов 49
3.2. Температурные зависимости излучатсльпьгх характеристик InGaAsN/GaAs лазеров 50
Глава 4. Особенности влияния р-легирования активной области на температурную стабильность пороговой плотности тока лазеров па InAs/GaAs квантовых точках 62
Глава 5. Эффективный коэффициент Оже-рекомбинации и к безызлучательное время жизни в длинноволновых лазерах на квантовых точках 74
5.1. Теоретическая модель оценки эффектиииого коэффициента Оже-рекомбинации и безызлучательного времени жизни 74
5.2. Температурная зависимость эффективного коэффициента Оже-рекомбипации и безызлучательного времени жизни в длинноволновых InAs/GaAs лазерах на квантовых точках 76
Заключение 85
Литература 89
