Введение
Глава I. Воздействие оптического и ик излучения на тонкие сверхпроводящие плёнки . 18
1.1 Образование «горячего пятна» при поглощении кванта ИК излучения тонкими сверхпроводящими плёнками NbN. 19
1.2 Воздействие электрического тока на локальные возбуждения сверхпроводящего состояния в узких мостиках . 23
1.3 Однофотонный детектор на фотоиндуцированных центрах проскальзывания фазы. 28
Глава II. Методика исследования. 36
2.1 Технология изготовления и методы отбора исследуемых образцов. 37
2.2 Экспериментальная установка. 47
2.3 Методы измерения основных характеристик однофотонных детекторов . 52
Глава III. Квантовая эффективность однофотонного сверхпроводящего детектора на основе тонкой Nbn плёнки . 59
3.1 Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NbN плёнках. Однофотонный и многофотонный процессы детектирования. 60
3.2 Исследование зависимости квантовой эффективности от величины рабочего тока. 72
3.3 Исследование зависимости квантовой эффективности от геометрических размеров однофотонного детектора . 81
3.4 Исследование спектральной зависимости квантовой эффективности. Оценка границы частотного диапазона чувствительности сверхпроводящего однофотоиного NbN детектора. 91
Выводы 97
Глава IV. Быстродействие однофотонного сверхпроводящего детектора на основе тонкой NbN плёнки. 98
4.1 Величина и форма импульса однофотоиного сверхпроводящего детектора на основе тонкой NbN плёнки. 99
4.2 Исследование задержки отклика однофотоиного сверхпроводящего детектора на основе тонкой NbN плёнки после поглощение кванта света . 112
4.3 Исследование джиттера однофотоиного сверхпроводящего детектора на основе тонкой NbN плёнки. 119
Выводы 124
Глава V. Применение сверхпроводящего однофотонного детектора на основе тонкой NbN плёнки в оптической диагностике микросхем . 125
Заключение. 129
Список публикаций автора. 133
Литература. 138
