Введение
1 Структуры с 5-легированием и замороженная фотопрово димость 11
1.1. Структуры с J-легированием 11
1.2. Замороженная фотопроводимость в структурах с слоями 14
1.3. Резонансные поляронные и фононные особенности в туннельных спектрах 17
2 Образцы и методы исследований 21
2.1. Структуры с (5-слоем 21
2.2. Туннельная спектроскопия 24
2.3. Экспериментальные методики 30
3 Экспериментальное исследование эффекта замороженной туннельной фотопроводимости 36
3.1. Первые наблюдения замороженной туннельной фотопроводимости. Описание эффекта 36
3.2. Зависимость эффекта замороженной туннельной фотопроводимости от времени и энергии кванта облучения при различных размерах туннельных затворов 40
3.3. Температурные зависимости эффекта замороженной туннельной фотопроводимости 42
4 Анализ экспериментальных данных 49
4.1. Оценки прохождения излучения в структуре Al/6-GaAs . 49
4.2. Предположения о влиянии облучения на процессы в А\/5-GaAs 51
4.3. Механизм возникновения эффекта замороженной туннельной фотопроводимости 53
4.4. Участие примесных центров 58
5 Применение эффекта замороженной туннельной фотопроводимости для исследования резонансного взаимодействия с LO-фононами 66
5.1. Изменение состояния двумерной электронной системы за счёт эффекта замороженной туннельной фотопроводимости . 66
5.2. Отражение электронов при туннелировании 69
Заключение 80
Список использованных источников 90
